问：sio2薄膜不具备的作用
- 答：二氧化硅膜的化学稳定性极高，不溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不起作用。
利用这一性质作为掩蔽膜，光刻出IC 制造中的各种窗口。
2. 二氧化硅膜的掩蔽性质
B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数远小于在Si中的扩散系数。Dsi > Dsio2
SiO2 膜要有足够的厚度。一定的杂质扩散时间、扩散温度下，有一最小厚度
3. 二氧化硅膜的绝缘性质
热击穿、电击穿、混合击穿：
a.最小击穿电场（非本征）－－针孔、裂缝、杂质。
b.最大击穿电场（本征）－－厚度、导热、界面态电荷等；氧化层越薄、氧化温度越高， 击穿电场越低。
介电常数3～～4（3.9）
4. Si--SiO2的界面特性及解决
（1）可动离子电荷：如Na+离子---Si表面负电荷（N型沟道）－－清洗、掺氯氧化工艺－－PSG－SiO2
（2）固定氧化物电荷----过剩的Si+
（3）界面陷阱电荷(快态界面)－分立、连续能级、电子状态
（4）氧化物陷阱电荷： Si －SiO2界面附近（109～1013/cm2）---300℃退火
（5）氧化层上的离子沾污 - 答：它可以容易地用对硅的影响可以忽略不计的化学物质蚀刻。而且，许多硅蚀刻剂不影响氧化物。这种可能性被广泛用于所有基于硅的微技术中。
如果氧化物用作硅加工的高温掩模，则必须预先在低温下使用基于抗蚀剂的微光刻工艺对其进行构图。
当必须在硅上进行室温工艺时，可以避免使用氧化物掩膜，因为抗蚀剂可以直接充当硅的掩膜。但是，有些化学物质可以轻松蚀刻抗蚀剂和硅。典型的例子是硅的各向异性蚀刻，通常在KOH（氢氧化钾）中进行。在这种情况下，稀释的KOH也是用于正性抗蚀剂的典型显影液。因此，蚀刻过程应以黄光进行，抗蚀剂对此不敏感。这是不切实际的。但是即使如此，由于对于硅的可接受的蚀刻速率需要浓缩的KOH，因此再次不能使用抗蚀剂，因为未经稀释的KOH会去除抗蚀剂，即使它没有被曝光。 - 答：sio2薄膜不具备的作用，在微电子技术以及在微结构、微光学和微化学传感器中，需要在由不同材料构成的大面积的薄膜层中构造功能完善的结构。
问：关于溶胶-凝胶法制备二氧化硅纳米薄膜的问题
- 答：溶胶凝胶法制备薄膜一般都有膜层结构疏松的缺点，一般来讲在比较成熟的工业生产中都采用pvd的物理气象沉积方法，二氧化硅薄膜在光学中用得很多，在其他电子行业都有用到，绝大多数都采用磁控溅镀或者电子束蒸发沉积的方法，所制备出的薄膜不仅致密，而且膜层结构容易控制，适合工业化连续性生产。现在高校的不少实验室都买了真空薄膜设备，用于各个薄膜的试验研究。如果你们学校有这样的设备，不妨去试试！
问：用磁控溅射法法制备二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜的硬度与通氧量有什么关系？
- 答：在辉光放电的气压范围内，通氧量越大，SiO2薄膜越接近化学计量比，薄膜硬度越高。再者，可以通过提高基片温度增加薄膜硬度。
- 答：SiO2氧含量高，硬度高。但是通入的氧气过多，就会打弧放电，反而镀不好了。
