一、耦合电容器介质损耗测量结果的分析（论文文献综述）
赵华伟[1]（2021）在《多功能变温台用于介电性能测试的工程问题研究》文中提出多功能变温台（THMS600,Linkam）与LCR阻抗分析仪、测试夹具结合能够实现从-196℃至600℃温度范围内的介电性能测试。同时,介电测试需要变温台与同轴线、样品夹具、温控仪等配合实施,所以不可避免地会带来系统误差。本文主要分析介电性能测试时温度的准确测定及测试系统的耦合电容两个基本问题,开展了对测试夹具的设计和优化、变温台的温度场标定、耦合电容的确定与减小等工程问题的研究,得到了以下实验结果:（1）本文通过两个实验对测试时实验台的温度进行标定。在现有仪器（THMS600,Linkam）的基础上,通过引入热电阻测温系统来测量测温点实际温度。实验一,固定温台温度,计算变温台内不同测温位置的实际温度与变温台控制软件示数的误差值（ΔT）,观察位置对ΔT的数值是否有影响,并改变温度进行对比。实验结果表明,每个点测得的实际温度都会比软件预设温度要低,且当温度越高时ΔT越大。实验二,调整升温速率,计算变温台内某一固定点在不同升温速率下的误差值ΔT,观察不同速率对ΔT数值是否有影响,并更换测温点作对比。实验结果表明,当变温速率为1℃/min,ΔT的数值最小,相对于其它速率,ΔT的变化曲线更平缓。（2）本文通过对比实验分析了介电性能测试系统误差的来源。首先用LCR阻抗分析仪直接测量材料（BaTiO3）的介电性能数据;接着,使用实验室自主设计的介电性能测试系统在相同的条件下测量同一个材料的介电性能数据;最后,将测得的两组数据作比较。实验结果表明,实验得到电容的差值为-0.6%。与国家标准中规定电容精度±（1%±0.0005）相比,电容的差值符合国家标准。介质损耗的误差为-28.7%,与国家标准中规定介质损耗精度为（±5%±0.0005）相比,介质损耗不满足国家标准。总结原因,可能是实验室自主设计的测试系统在实验过程中产生了一定的耦合电容,影响了容器中待测样品电学性能的测试结果。此外,夹具与测试样品间的接触压力、夹具与测试信号线连接所使用焊锡丝的品质都可能会影响实验数据。我们在不影响变温台本身测试性能的情况下,实现了介电性能测试的功能,同时对所搭建的系统进行了误差分析,为变温台的研究提供了新的思路。
于赫[2]（2021）在《基于微纳加工的高灵敏度微波湿度传感器设计方法研究》文中进行了进一步梳理作为日常生活中具有重要意义的传感器应用之一,湿度传感器已经被广泛应用于天气预报、农业监测、食品加工、临床医疗和智能家电等领域中。近年来,湿度传感器的研究大多基于电阻电容等低频测试平台,其优点是造价低、制备简单,不足之处是灵敏度较低、稳定性差、器件尺寸大,受环境的影响较大。相比之下,射频微波平台具有稳定性高、兼容性好、可多参数表征等特性,因此在湿度传感检测领域得到进一步的发展。本文以基于微纳加工的湿度传感器的设计作为出发点,致力于解决目前湿度传感器灵敏度不高、稳定性不佳以及尺寸大的问题,从多角度分析了提升湿度传感器性能的设计方法和解决途径,为开展湿度传感器在实际工程领域的应用研究奠定了基础。首先,介绍了湿度传感器的湿敏材料的制备过程,从金属氧化物材料出发,通过改变原材料的配比来提高湿度检测灵敏度,并通过引入金红石型Ti O2来解决湿滞问题,将传感器湿滞从2.45%RH降低到0.95%RH。研究了基于电容检测平台和微波检测平台的湿度传感器的传感机理,设计了基于金属有机框架衍生物的磁性材料在碳点修饰下的复合材料,引入复合异质结结构湿敏材料的湿度传感器性能得到了显着提高,并实现了5%到99%RH宽范围的湿度检测。其次,从金属–绝缘体–金属电容式湿度检测单元入手设计了多孔结构来提高水分子与敏感材料的接触面积,确定了孔径为20μm、孔间距为10μm的电容湿度传感器结构。采用交指电容微波电路对水汽敏感频率进行了标定,从线宽大小、开口设计以及双环对称结构几个角度设计了最优微波式湿度检测单元,实现了从设计、仿真、优化、加工、封装流程一体化的微波湿度传感器。利用Lab VIEW平台监测和记录微波传输和反射信号的变化,测试结果验证了利用该微波湿度传感平台进行湿度检测的可行性。然后,通过不同的刻蚀方法对电容式湿度传感单元的感湿层进行处理以提高其湿度检测性能。针对基于印刷电路板工艺的微波器件尺寸大且难以集成的问题,以集成无源微纳加工技术为突破口,设计了基于交指电容和螺旋电感谐振回路、尺寸为0.98×0.80 mm2的微型化微波湿度传感器。相比于传统印刷电路板技术加工的微波湿度传感器在k Hz%RH级别的灵敏度,本文实现了灵敏度为3.4 MHz%RH的微型化湿度传感器。通过电感刻蚀优化和电容退火优化处理,增加了器件的良品率,解决了传统批量生产的湿度传感器存在器件性能不稳定、传感特性差异大的问题,提高了可大批量生产的湿度传感器的实际应用价值。最后,针对湿度传感器面向人体体征监测应用展开了研究,通过电容式湿度传感器对人体体征的初步分析,验证了基于集成无源微纳加工技术的微波湿度传感器对人体口腔呼出水汽和皮肤湿度检测的可行性,解决了传统湿度传感器在智能医疗健康领域的微型化问题,实现了易于电路集成的多功能湿度检测器件的生物应用。综上,本文的研究内容针对湿度传感器应用中的几大突出问题,以交叉学科的理论分析为研究基础,从敏感材料设计、器件结构设计、加工工艺优化角度,展开了一系列的不同学科的模块化研究,为实现高灵敏度湿度传感器的实际应用提供了坚实的研究基础及参考价值。
黄灿[3]（2021）在《镧掺杂锆钛酸铅体系介电材料的电光效应机制和储能性能调控》文中研究指明随着现代光通信领域的迅速发展,对光通信技术和器件提出了越来越高的要求,甚至提出了未来光通信实行全光系统的愿景。光交换器件是全光系统中最关键的器件,依赖高速电子组件作交换或路由等处理的机械式光开关器件端口少、响应速度慢、集成度低,传统的电光材料,如铌酸锂,电光系数小、半波电压高,无法满足未来全光通信的应用要求。为了解决这一难题,本研究以掺镧锆钛酸铅（PLZT）电介质材料为研究对象,通过调控成分和制备工艺研制出具有优良电光效应的PLZT薄膜电介质材料,并阐明了其产生电光效应的机制。PLZT电介质材料除了具有大的二次电光系数、光学性能优良外,还具有优异的介电性能。PLZT陶瓷粒子通过与聚偏氟乙烯（PVDF）复合,可得到柔性好、储能密度大的电介质材料,满足电子元器件轻量化、微型化的需求。本研究合成了零维（0D）、一维（1D）和二维（2D）的PLZT填料,采用流延法制备了不同维度PLZT填料的PLZT/PVDF复合薄膜,系统研究了其介电性和储能性能。并通过理论模型,解释了不同维度的PLZT填料对复合薄膜介电性的影响。主要研究内容和结论如下:（1）以PLZT（9/65/35）为研究对象,采用微波烧结实现了PLZT陶瓷的低温快速烧结,降低了烧结温度200°C,将保温时间从3 h降低到20 min。微波烧结制备的PLZT陶瓷更加致密、均匀,晶粒尺寸细小,晶界明显,孔隙率较小。为解决Zr4+和Ti4+的扩散能力较低,且难以在分子水平上均匀混合的问题,通过采取部分共沉淀法制备PLZT粉体,改善了PLZT原料粉体的烧结活性。制备的PLZT（9/65/35）陶瓷相对密度达到96.5%,相对介电常数εr为3895,介电损耗tanδ为0.029,透明度高,其透光率为53.8%。（2）为进一步提高PLZT透光性,采用等离子体退火方法制备出了表面平整、光滑、均匀、无裂纹的PLZT薄膜,其最高透光率为89.2%。通过La掺杂量的变化,探究了La掺杂引入的缺陷对PLZT（x/65/35）薄膜性能的影响机制。当La含量为9%时,PLZT（9/65/35）薄膜的电滞回线表现出二次型特征,具有纤细的电滞回线和较低的剩余极化强度（18.2μC/cm2）。薄膜的光学性能好,吸收系数接近于0,禁带宽度大（～3.6 e V）。设计了PLZT薄膜光波导,光波导的插入损耗小于5 d B。（3）为提高PLZT薄膜的光学性能和二次电光性能,采用改进的溶胶-凝胶法,通过多层旋涂和层层等离子退火工艺在ITO/Si O2导电玻璃基底上制备了高质量、性能优异的PLZT（x/65/35）薄膜。该工艺消除了层间热应力,减少了每层薄膜之间的缺陷。薄膜的结构特征显示了（110）择优取向,最高透光率为93.8%,表面粗糙度约为1 nm。对二次电光效应测试系统进行了改进,简化了光路结构,得到了薄膜的二次电光系数,通过该系统获得制备的PLZT电光薄膜的最大二次电光系数为3.54×10-15 m2/V2。基于优异的二次电光效应制备出PLZT电光调制器,该调制器的插入损耗小,3 d B带宽约为65 GHz,其半波电压VπL为7.4 V·cm,有望应用于未来全光通讯系统中,实现电压快速切换光信号或进行光信号的调制。利用压电响应力显微镜（PFM）技术,研究了内部铁电畴随着外加电场转向变化的过程,结果表明:在电场作用下,90°畴的运动和转向影响了PLZT薄膜的压电响应并决定其二次电光系数的大小,材料内部90°畴区域越多,压电和电光效应越强。（4）采用溶液流延法制备了不同体积分数PLZT填料的PLZT/PVDF复合薄膜,陶瓷填料粒子PLZT的加入有效地提高了复合薄膜的介电常数,使介电常数从纯PVDF膜的8.0增大到12.03,得到了能量密度为7.18 J/cm3的PLZT/PVDF复合薄膜。制备了不同维度的PLZT填料,通过表面改性的方式改善了陶瓷填料粒子与高分子的相容性,得到了不同填料维度的PLZT/PVDF复合膜。通过改进拓展Maxwell-Garnet理论模型,推导得到不同维度填料复合材料的介电模型,并根据该模型计算了不同维度PLZT填料复合薄膜的介电常数,其结果与实际吻合较好。随着填料维度的增加,复合薄膜表现出更加优异的介电和储能性能,其中2D的PLZT填料制备的PLZT/PVDF复合薄膜的介电常数最大,为19.76,储能密度也最大,达到13.86 J/cm3。
包艳艳,刘康,温定筠,陈博栋,江峰,高立超[4]（2021）在《一起800 kV耦合电容器介损测试的影响因素及对策分析》文中进行了进一步梳理特高压现场试验中,耦合电容器的介质损耗因数均在10 kV及以下电压下进行测试的,但设备自身存在Garton效应,某些时候所测的异常数据不能真实反映设备绝缘状态。针对特高压换流站800 kV耦合电容器的介质损耗因数测试数据异常,从设备的结构、使用条件及测试方法等进行了异常原因的详细分析,给出了应对设备Garton效应的现场实施策略及设备运行建议。
周榆久[5]（2020）在《近线性聚合物基介电复合材料及薄膜研究》文中研究表明有机薄膜电容器具有极高的功率密度,在脉冲电源系统、高压输电网络等领域有着无可替代的地位。目前有机薄膜电容器的储能密度偏低,导致装备体积过大,严重制约了其应用。有机薄膜电容器性能由聚合物材料所决定,因此开发一种兼具高储能密度和高充放电效率的聚合物介电复合材料至关重要。本文探讨了近线性聚合物基复合材料的材料组成与结构参数对储能特性的影响,得到以下结果:1.基于体复合方式分别研究了以高介电铁电材料为基体的聚脲/聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯（PUA/P（VDF-CTFE））和以高充放电效率线性材料为基体的聚偏氟乙烯-三氟乙烯-氟氯乙烯/聚脲（P（VDF-Tr FE-CFE）/PUA）复合薄膜。研究发现,在较低复合比例下采用体复合方式均能显着提升复合薄膜的储能特性,但高比例下将发生相分离导致耐压性能降低。在PUA/P（VDF-CTFE）中,10 vol.%PUA的复合薄膜击穿场强高达5020 k V/cm,是纯P（VDF-CTFE）的1.35倍;同时,2500 k V/cm电场下充放电效率从10.6%显着提高至46.1%。在P（VDF-Tr FE-CFE）/PUA中,20 vol.%比例的薄膜储能密度达到4.49 J/cm3,充放电效率为62%。2.为解决体复合发生相分离的局限性,研究了双层结构的PUA/P（VDF-CTFE）与P（VDF-Tr FE-CFE）/PUA复合薄膜。结果发现,对于介电常数差异较小的PUA/P（VDF-CTFE）,厚度比例为1:1的复合薄膜击穿场强达6180 k V/cm,比纯P（VDF-CTFE）提高了35%,2000 k V/cm下双层薄膜充放电效率均高于75%。对于介电常数差异较大的P（VDF-Tr FE-CFE）/PUA,当厚度比例为1:1时,复合薄膜击穿场强略微下降,储能密度提升为4.78 J/cm3,充放电效率为55%。3.为提高纳米材料分散性,将高绝缘PUA对钛酸钡（BT）纳米颗粒进行表面修饰,实验发现介电常数与击穿场强同时提升。随后,设计了一种具有介电梯度的三层渐变复合薄膜以缓解层间介电常数差异。结果表明,三层渐变薄膜的最大击穿场强可达5970 k V/cm,储能密度提高到8.2 J/cm3,充放电效率为50%。4.提出一种中间为高极化强度BT纳米颗粒、两侧为高充放电效率线性材料聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的三层夹层复合结构。采用体复合优化后的PMMA作为基体,研究了不同夹层厚度对储能特性的影响。结果表明,当BT夹层体积分数为14%时,复合薄膜击穿场强达到5340 k V/cm,储能密度提高至7.48 J/cm3,充放电效率为77.2%,实现了高储能密度的近线性聚合物复合薄膜的制备。
陈玉竹[6]（2020）在《高压电缆局部放电与介质损耗的检测诊断技术研究》文中指出随着我国电力网络不断发展,高压电缆铺设长度不断增加,高压电缆的安全稳定运行与国民生产生活的关系也越来越紧密,因此需要能够及时反应电缆运行状态的检测手段,减少电缆因为绝缘缺陷出现电力事故的可能性,确保电网安全稳定运行。高压电缆局部放电检测和介质损耗检测是电缆绝缘突发性故障检测方法中的有效手段。局部放电（简称局放）监测可以对电缆局部故障进行检测与诊断。介质损耗（简称介损）检测可以反映电缆整体老化程度。这两种方法均是IEEE标准推荐的电缆检测方法。本文从高压电缆加压测试实验、介损检测技术、局放多源头识别以及动态自适应诊断技术四个方面对高压电缆局放与介损的检测诊断技术进行了研究。（1）针对局放检测样本与介损检测样本库获取难度高的问题,本文搭建了基于典型缺陷的高压电缆加压测试实验平台,开展了电缆局放和介损检测试验。本文通过选取和设置五种典型缺陷类型,开展高压电缆单源缺陷和多源缺陷的加压测试实验,获取局放数据。本文开展了高压电缆介质损耗检测试验,获取介质损耗检测数据。本文分析了基于单源缺陷和多源缺陷高压电缆局放检测中起始电压与熄灭电压,并分析了不同电压等级下单源缺陷和多源缺陷所引起的局放脉冲形状与幅值规律。（2）针对高压电缆介损带电检测难度大的问题,本文提出了基于多点同步的高压电缆介损检测方法与精度提升方法。本文对高压电缆介损检测方法进行总结,将高压电缆介质损耗方法分为绝对测量法和相对测量法。本文分析了高压电缆介质损耗检测误差产生的原因,并相应提出了改进方法。本文提出了高压电缆介质损耗检测新型系统,分析了泄露电流分离、参考电压补偿以及加装测温系统对介损检测值的误差影响。（3）针对高压电缆局部多源头识别难的问题,提出了基于高可靠性同步触发采集和特征优化选择的高压电缆局放多源头识别方法。本文针对同一电缆不同位置产生的多源局放,提出基于高可靠性同步触发采集与多源信息融合的高压电缆局放多源识别方法。本文针对电缆同一位置不同缺陷产生的多源局放,提出基于特征优化选择与聚类分割的高压电缆多源局放识别方法。本文针对电缆及电缆连接的电力设备产生的多源局放,提出基于优选特征和卷积神经网络深度学习的高压电缆局放多源头识别方法。（4）针对基于局放检测的高压电缆状态诊断困难的问题,提出基于局放检测技术的高压电缆动态自适应状态诊断方法。本文分析了高压电缆状态诊断的影响因素,将高压电缆状态诊断影响因素分为考虑电缆自身信息、局放干扰识别以及局放源头和类型三种类型。本文结合高压电缆状态诊断的影响因素,提出基于动态自适应技术的高压电缆状态诊断模型。本文对某供电公司5条线路电缆进行诊断,判断出需要重点关注电缆,但由于停电检修时间安排问题,该电缆出现事故。本文对某EPR电缆进行诊断过程中发生闪络,通过分析闪络前后局放幅值变化以及局放脉冲数目变化,得到新的高压电缆状态诊断影响因素。
周明星[7]（2020）在《铌酸钠基无铅铁电陶瓷的制备、结构及性能研究》文中研究指明铅基铁电材料在日常生活、工业生产、国防军事、科学研究等领域具有广泛的应用。然而由于铅元素造成的环境和健康问题日益突出,欧盟于2003年率先发布了关于限制在电子电气设备中使用铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯等有害成分的指令,由此掀起了无铅铁电材料研究的热潮。经过科研人员的不断研究,以Ba Ti O3基、（K,Na）Nb O3基、（Bi,Na）Ti O3基和Bi Fe O3基为代表的无铅铁电材料在某些电学性能方面取得了长足的进步。但是需要指出的是上述四种无铅铁电材料仍然存在一些缺点,距离实际应用仍有一定的距离,因此迫切需要研究新型无铅铁电材料体系。Na Nb O3虽然室温下为反铁电相,但是其铁电性可以通过施加电场或组分固溶等方式加以稳定,例如其室温反铁电相可以在高电场的诱导下不可逆地转变成亚稳态铁电相,是一种兼具高极化强度（～40μC/cm2）和高居里温度（～370℃）的铁电材料,这表明Na Nb O3是一种非常值得研究的无铅铁电材料体系。但是目前关于Na Nb O3材料的铁电特性以及相关应用的研究仍然处于起步阶段,特别是在热释电、电卡制冷、储能等方面迫切需要进行深入的研究和探索。基于上述研究背景,本论文选择Na Nb O3为研究对象,通过组分固溶的方式稳定其铁电性,对材料的微观结构和电学性能做了深入研究,探索了其在热释电、电卡制冷、电介质储能等方面的潜在应用,主要内容如下:（1）通过容忍因子调控策略,在Na Nb O3体系中引入Ba0.6(Bi0.5K0.5)0.4Ti O3使其从反铁电体转变为铁电体。TEM及XRD结果表明:随着BBKT含量的增加,NN-x BBKT的相结构从反铁电正交相依次转变为铁电正交相、铁电四方相,最后演变为弛豫赝立方相。丰富的相结构及相变为NN-x BBKT铁电材料的多功能应用提供了理论可行性。随后我们继续研究了NN-x BBKT（x=0.05、0.10、0.15和0.20）铁电材料的温度诱导退极化行为及热释电效应,并在x=0.15组分中同时获得了高退极化温度（110℃）、高热释电系数(3.11×10-8 C?cm-2?K-1)及高优值因子(Fi=1.04×10-10 m?V-1、Fv=1.02×10-2 m2?C-1、Fd=0.81×10-5 Pa-1/2)。（2）进一步通过调控BBKT的含量使NN-x BBKT（x=0.18～0.24）陶瓷的室温相结构逐渐从非遍历弛豫相转变为遍历弛豫相。从极化反转角度对NN-x BBKT（x=0.18～0.24）陶瓷撤电场过程中电流密度、极化强度及偶极熵的变化（?S）进行了系统解释,其中?S随组分的变化主要是由电场诱导的铁电相在撤电场过程中逐渐退极化所导致,并利用PFM在微观尺度上得到了证实。Landau唯象理论模型表明电滞回线和电卡效应随温度的演变与升温过程中热激活能和局部势垒的竞争结果密切相关。NN-x BBKT（x=0.18～0.24）陶瓷电卡效应的温度稳定性不仅依赖于组分而且和所施加的电场有密切联系,因此对于电卡效应温度稳定性的调控可以从组分设计或改变外加电场来实现。其中,x=0.22和x=0.24组分的电卡效应在高电场条件下显示出良好的温度稳定性,这主要和其在宽温范围内局域结构都存在具有四方对称性的极性纳米微区有关,即高电场条件下都可以诱导出弛豫-铁电相转变。（3）NN-24BBKT组分在室温已经成为遍历弛豫铁电体,但是由于其冻结温度Tf只是略低于室温,在高电场下PNRs依然能够翻转、成核、被诱导成为铁电畴,导致其电滞回线仍然存在一定的极化滞后,这对于储能来说是不利的,可以继续增加BBKT的含量以改善其弛豫特性及在外场下的极化响应行为,因此我们研究了NN-x BBKT（x=0.26～0.32）陶瓷组分的介电弛豫、储能及脉冲充放电特性。研究结果表明:随着BBKT含量的增加,离子无序造成的局域无规场强度增大,使PNRs的尺寸、数量及活性都发生了一定的变化,材料逐渐从弱弛豫特性转变为强弛豫特性。PNRs在外加电场的作用下越来越难被诱导成为宏观铁电畴,同时由于PNRs活性的增强,能够在外加电场条件下快速翻转,导致电滞回线变得越来越细窄,因此储能特性得到明显提升,在x=0.32组分中同时获得较高的可释放能量密度(Wrec=2.75 J/cm3)和储能效率（η=78.3%）。并且,脉冲充放电测试表明该组分具有较高的放电功率密度（PD=87.4 MW/cm3）和较短的放电时间(t0.9=63.0 ns),是一种新型的高性能无铅电介质储能陶瓷材料。（4）以NN-26BBKT组分为研究对象,采用Mn离子掺杂策略来增强材料的储能特性,并从微观结构及电学性能上对储能特性的增强进行了详细的机理解释,结果表明适量的Mn离子掺杂可以有效降低漏导、提高击穿场强和储能效率,其中最优组分（0.50Mn）表现出优异的综合储能特性(Wrec=3.17 J/cm3,η=76.7%,@35 k V/mm),为增强无铅电介质材料的储能特性提供了一直有效方法。
陈旭[8]（2020）在《电场与磁场混合耦合型无线电能传输技术研究》文中研究表明无线电能传输技术是一种以各种物理场（如磁场、电场、机械波等）为媒介进行非接触式能量传输的技术,在为电动汽车、消费类电子产品、工业现场设备、水下设备以及植入式医疗设备等提供电能方面具有独特的优势,因而显示出广阔的应用前景和巨大的商业价值。由于其能量传输无需直接接触,因此具有安全可靠、整洁美观、方便易用的优点。磁场耦合无线电能传输的优点是易于实现大功率和长距离无线能量传输,但其磁场呈发散特性,易在周围金属及其它低阻体中产生涡流,一方面会加热这些物体,另一方面也会降低系统效率。电场耦合无线电能传输的优点是电场主要集中于发射和接收极板之间,对周围影响较小,几乎不会在周围金属物体中产生涡流,另外金属电容极板也较磁场耦合更易于实现低成本及相对更好的柔韧性;缺点是功率密度较低,受耦合电容变化影响较大,在大功率传输时极板上电压应力高。电场耦合与磁场耦合混合型无线电能传输技术能够有效利用电场耦合与磁场耦合系统各自的优势,在提升系统效率、增加系统功率密度、减少电场/磁场辐射等方面具有独特的优势。但目前对于混合耦合型无线电能传输技术的研究尚不充分,特别是在混合耦合机构的建模及优化设计、电压应力的建模及控制、漏磁场的控制、高频变换器的优化设计、参数变化对于混合耦合系统的影响、系统效率的优化等方面仍有许多工作要做。本文专注于电场耦合与磁场耦合混合型无线电能传输技术的研究,主要的研究内容如下:（1）电场与磁场耦合机构的建模与优化设计。针对电场及磁场耦合机构进行建模,通过理论分析、有限元电磁场仿真、电路仿真以及实验测量的方法,深入分析了各种参数对耦合电容,极板间电压应力,线圈自感等关键参数的影响。给出了电场耦合机构及磁场耦合机构的一般设计方法。在此基础上,进一步提出了基于保角变换的电场耦合机构考虑边缘效应的设计及计算方法。以电压应力为导向,提出了一种通用的耦合机构电压应力最小化设计方法,并通过仿真及实验样机加以验证,结果表明该方法能够实现耦合机构电压应力的最小化。（2）混合耦合系统兆赫兹逆变器建模与优化设计。混合耦合无线电能传输系统的耦合电容通常为皮法量级,为增加功率传输能力,需将系统的工作频率提升至数兆赫兹。结合最新的氮化镓功率半导体技术,研究了可用于混合耦合无线电能传输技术的兆赫兹逆变器的设计方法。首先分析了兆赫兹工作频率下系统关键位置寄生参数对系统设计的影响,包括二极管结电容、MOSFET输出寄生电容、MOSFET门级电荷以及主电路PCB寄生参数等等。建立了功率器件的高频模型、给出了高频驱动电路的设计方案,并以此为基础搭建逆变器的高频电路仿真模型。研究了不同的布局布线方法对于逆变器主回路寄生参数的影响,并以此为依据设计出具有最小寄生电感的PCB布局布线方案。最后基于上述方法设计了用于混合耦合无线电能传输系统的兆赫兹逆变器样机。（3）并联型电场与磁场混合耦合无线电能传输技术的研究。针对单独的电场耦合系统输出易受耦合状态影响的问题及磁场耦合系统功率密度低、漏磁辐射严重的问题,提出了并联型电场与磁场混合耦合无线电能传输技术。深入研究了混合耦合机构的设计方法。建立了混合耦合系统电场耦合分支、磁场耦合分支及整体的增益特性数学模型,并应用于混合耦合系统的设计,给出了系统参数的设计方法并搭建实验样机加以验证。在6.78MHz、40W输出时,系统效率达到80.02%。在耦合电容从70pF变动至480pF过程中,开环输出电压的波动范围小于8伏,相较于传统电场耦合无线电能传输18V的波动范围有较大提升。（4）“接收控制”型电场与磁场混合耦合无线电能传输技术研究。针对单发射多接收条件下发射系统漏磁辐射严重、系统效率随发射线圈增加而严重跌落的问题,提出了一种“接收控制”型电场与磁场混合耦合无线电能传输技术。首先解释了“接收控制”无线电能传输的思想,然后深入分析了所提出的“接收控制”型耦合机构的工作原理、设计方法及影响因素。给出了基于“接收控制”耦合机构的无线电能传输系统的设计方法并搭建了单输入、三输出的实验样机进行了原理验证。结果证明接收控制耦合机构能够有效提升系统效率,在6.78MHz,120W输出功率条件下最高效率达到81.42%,并且能将空载发射端的漏磁辐射控制在背景噪声水平。
唐哲红[9]（2020）在《铋基钙钛矿薄膜磁电耦合与储能调控及其机理研究》文中认为多铁性磁电材料因其同时具有铁电有序和铁磁有序,把它们之间的耦合作用称为“磁电效应”,从而实现磁场控制电极化或电场控制磁化。这类材料在自旋电子器件、新型磁电存储器件等方面都具有潜在应用价值,从而引起了广泛关注。但是,现存单相多铁材料的磁电耦合效应非常弱且存在温度低,不利于实际的工业应用。而磁电复合的多铁异质结在材料的选取上和界面处耦合强度的调控上都具有不可比拟的灵活性,特别是2-2型叠层（铁磁/铁电）多铁异质结。本论文主要研究了2-2型多铁异质结中铁磁有序和铁电有序材料的选取以及界面的调控对磁电耦合效应的影响。此外,铁电有序材料以其电极化后存在滞后行为而着称,在外电场作用下,铁电畴定向翻转且有序排列,实现能量的存储,而在撤去电场后实现能量的释放,这种能量存储的方式称为介电储能。同时,电极化不会立即消失,这种滞后产生剩余极化,也就是说,铁电畴不会立即恢复到原来的状态,产生滞后行为并伴随着能量的损耗。所以,对于介电储能需要一个尽量小的或几乎没有的滞后行为来减少能量损耗,提高储能密度和效率。这种电介质电容器以其快的充放电速率,高的工作电压,宽的工作温区,长的工作寿命脱颖而出。但是目前存在的问题是其储能密度较低,而一般的提高储能密度的方法是构建复杂的固溶体来实现。本文通过一种简单的方法来调控储能特性,同时实现高的储能密度和效率。针对上面的研究热点,本文主要包括以下几个研究内容:1.在单层钙钛矿BiFeO3和Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5TiO3薄膜复合形成的2-2型叠层薄膜中获得了可观的磁电耦合效应。BiFeO3作为少数的室温具有弱磁电效应的材料,因其漏电流较大而限制了它在实际中的应用。对于铁电材料Bi0.5Na0.5TiO3,通过在Na+离子的位置引入K+离子诱导准同型相界,使Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5TiO3在相界处获得提高的极化强度和压电系数。此外,BiFeO3和Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5TiO3相似的单层钙钛矿结构使其界面之间具有良好的耦合作用。同时,这种层状结构还能有效的抑制因BiFeO3产生的漏电流。最终,BiFeO3/Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5TiO3复合薄膜获得了良好的磁电效应,其磁电耦合系数达到αE=31 mV/cm·Oe。2.引入Aurivillius相多层钙钛矿铁电体Na0.5Bi4.5Ti4O15作为压电相,BiFeO3作为压磁相形成2-2型叠层复合薄膜。Na0.5Bi4.5Ti4O15作为一种天然的超晶格结构由类钙钛矿层（极化层）和（Bi2O2）2+层组成。作为高电阻的（Bi2O2）2+层具有空间电荷补偿作用,能够阻止氧空位等在畴壁处的聚集,降低了畴的钉扎效应,从而具有良好的铁电性和压电性。因此,在BiFeO3/Na0.5Bi4.5Ti4O15复合薄膜中获得了一个提高的磁电效应,磁电耦合系数达到αE=136 mV/cm·Oe。但是,Na0.5Bi4.5Ti4O15和BiFeO3并没有实现良好的晶格匹配,再次通过引入多层钙钛矿Bi5Ti3FeO15作为压磁相,使Na0.5Bi4.5Ti4O15和Bi5Ti3FeO15之间因相似的晶格结构而形成良好的界面耦合,这不但增加了界面间的应力传递,还改善了复合薄膜的漏电流特性。最终获得了巨大的磁电效应,其磁电耦合系数αE高达410mV/cm·Oe。3.通过La3+掺杂的层选位工程调控铋基多层钙钛矿弛豫铁电薄膜BaBi4-xLax Ti4O15的储能特性。当La3+的含量小于等于0.2时,La3+取代类钙钛矿层中的Bi3+,导致A-位离子无序度增加的同时抑制了缺陷的浓度。当La3+的含量大于0.2时,La3+开始进入具有绝缘特性的（Bi2O2）2+层,降低了薄膜的绝缘性能,使得储能密度减小。因此,在BaLa0.2Bi3.8Ti4O15薄膜中获得了高达44.7 J/cm3的可恢复储能密度和60.1%的效率。这种稀土掺杂层选位工程为调控多层钙钛矿弛豫铁电薄膜的储能性能提供了新的途径。4.通过引入具有双向作用的La-O轨道杂化调控铋基多层钙钛矿薄膜(Na0.85K0.15)0.5Bi4.5-xLaxTi4O15的储能特性。引入弱的La-O轨道杂化取代强的Bi-O轨道杂化,一方面,弱化了偶极子之间的相互作用,增强薄膜的弛豫特性;另一方面,加宽了薄膜的带隙,同时降低了缺陷浓度,增加了薄膜的击穿强度;因此,在(Na0.85K0.15)0.5Bi3.2La1.3Ti4O15薄膜中,实现了最小滞后的同时保持了高的极化强度,同时获得了一个巨大的可恢复储能密度为111 J/cm3和高达83%的储能效率。与其他电介质电容器相比,本工作在引入相同半径和价态离子后,获得了巨大的储能密度和效率,为下一代脉冲功率电容器的成功设计提供了一个简洁的方法。
韩守鹏[10]（2021）在《腔体谐振式三维无线供电技术研究》文中进行了进一步梳理本文旨在为三维空间中自由移动的便携式设备进行灵活供电,探究腔体谐振原理在无线供电技术中的应用。无线电能传输（Wireless Power Transfer,WPT）技术目前普遍应用的传输方式指向性强且缺少灵活性,不适合为三维空间中的设备灵活地供电。准静态谐振腔（Quasi-Static Cavity Resonator,QSCR）利用腔体谐振原理,在内部激发三维电磁场并传输能量,腔体中的便携设备可以在移动工作的同时灵活地接收电能。因此,本文选取准谐振腔作为研究目标,从理论、仿真和实验的角度探究其规律。使用单元辐射子模型分析准谐振腔场分布趋势,通过准谐振腔与谐振腔结构相似性分析准谐振腔场分布。根据输入系统总功率守恒,从能量耗散的角度推导系统传输效率并分析影响因素,同时使用实际参数验证所推导传输效率。推导结果显示,传输效率与准谐振腔表面材料、接收线圈尺寸、接收线圈位置等相关,使用实际参数计算的系统最高传输效率为48%。为了开展实验研究,设计并制作了准谐振腔和接收机构。接收机构包括利兹线平面螺旋线圈和PCB线圈分别用于系统特性实验以及无线供电实验。使用仿真和实验手段分析腔体谐振式无线供电系统中谐振电容对系统工作频率的影响以及接收线圈到电极距离、垂直高度、自转角度、公转角度对传输效率的影响。实验结果表明,接收线圈远离电极与自转运动对传输效率影响较大,垂直高度、公转角度对传输效率影响比较小。另外,仿真比较准谐振腔与磁耦合式WPT的发射线圈产生的磁场得知,准谐振腔内部磁场要比磁耦合式WPT技术稳定,因此准谐振腔适合进行大范围的灵活供电。研制了适用于腔体谐振式无线供电系统的高频逆变电源和便携式测量的电压电流无线测量模块。使用自制耦合机构、高频电源和测量模块进行无线供电实验;使用直接电流激励而不是波激励为准谐振腔提供能量。实验中分别以智能手机、灯珠、手持式风扇作为负载。结果显示,准谐振腔可以为内部空间自由移动的便携式设备灵活供电,智能手机无线供电实验的效率为31.25%,空间照明实验的效率为23.07%,为手持式风扇供电时效率为14.28%。腔体谐振技术作为一种新兴WPT技术,具有非常优越的供电灵活性,便携式设备可以在准谐振腔中边移动边充电。本文的理论研究和实验展示了腔体谐振技术在三维空间无线供电方向的应用前景。
二、耦合电容器介质损耗测量结果的分析（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、耦合电容器介质损耗测量结果的分析（论文提纲范文）
（1）多功能变温台用于介电性能测试的工程问题研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究的背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 本文的研究内容和内容安排 |
| 1.3.1 本文研究内容 |
| 1.3.2 文章内容安排 |
| 第2章 温度标定实验 |
| 2.1 热电阻测温法 |
| 2.1.1 热电阻的测温原理 |
| 2.1.2 常用热电阻 |
| 2.1.3 铂热电阻的引线方式 |
| 2.2 虚拟仪器概述 |
| 2.2.1 虚拟仪器原理 |
| 2.2.2 LabVIEW的特点 |
| 2.3 变温台温度采集模块设计 |
| 2.4 测温软件的实现 |
| 2.4.1 温度监测系统的操作界面 |
| 2.4.2 线路连接 |
| 2.4.3 LabVIEW的程序设计 |
| 2.4.4 具体实现步骤 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 介电性能测试实验 |
| 3.1 介电常数综述 |
| 3.1.1 介电常数的定义 |
| 3.1.2 介质损耗的定义 |
| 3.1.3 介电常数测量方法 |
| 3.1.4 平行板电容器测量法 |
| 3.2 介电性能测试模块设计 |
| 3.2.1 硬件组成及连接方式 |
| 3.2.2 测试原理 |
| 3.3 夹具设计及通讯接口选择 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 实验结果、数据处理与讨论 |
| 4.1 温度测试实验数据 |
| 4.1.1 实验方案介绍 |
| 4.1.2 静态法数据 |
| 4.1.3 动态法数据 |
| 4.2 介电性能测试数据 |
| 4.2.1 实验方案介绍 |
| 4.2.2 方案一数据 |
| 4.2.3 方案二数据 |
| 4.3 实验结果讨论 |
| 4.3.1 温度测试数据讨论 |
| 4.3.2 介电性能测试数据讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 5.1 本文工作总结 |
| 5.2 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 附录 动态法剩余选点测量数据图 |
| 在校期间公开发表论文及着作情况 |
| 参与的项目 |
（2）基于微纳加工的高灵敏度微波湿度传感器设计方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 |
| 1.2 国内外在湿度传感器方向的研究现状及分析 |
| 1.2.1 湿度传感器的研究现状 |
| 1.2.2 基于微波检测平台的传感器 |
| 1.2.3 基于集成无源微纳加工工艺的微波传感器 |
| 1.2.4 不同湿度传感器的研究机理分析 |
| 1.3 本文主要研究内容及解决的问题 |
| 第2章 高灵敏度湿敏材料的制备方法研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 金属氧化物及其衍生物湿敏纳米材料 |
| 2.2.1 金属氧化物及其衍生物湿敏纳米材料的制备方法 |
| 2.2.2 金属氧化物及其衍生物湿敏纳米材料的表征 |
| 2.3 高分子聚合物薄膜湿敏纳米材料 |
| 2.3.1 高分子聚合物薄膜湿敏材料的制备和优化 |
| 2.3.2 高分子聚合物薄膜湿敏纳米材料的测试结果 |
| 2.4 微波电磁场协同作用下的湿敏纳米材料 |
| 2.4.1 基于金属有机框架的磁性湿度敏感材料的制备 |
| 2.4.2 基于金属有机框架的磁性湿度敏感材料的特性分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 湿度传感检测单元结构的设计方法研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 电容式湿度检测单元结构的设计 |
| 3.2.1 金属–绝缘体–金属电容湿度检测单元结构设计 |
| 3.2.2 金属–绝缘体–金属电容湿度检测单元的测试结果 |
| 3.3 微波谐振式湿度检测单元结构的设计方法 |
| 3.3.1 水汽敏感频点标定及检测单元的设计 |
| 3.3.2 微型化微波湿度检测谐振器结构设计 |
| 3.3.3 基于微波谐振器的湿度传感测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 湿度传感检测单元的加工方法研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 电容式湿度传感器的加工 |
| 4.2.1 基于聚合物感湿层的电容湿度传感器加工过程 |
| 4.2.2 优化聚合物感湿层的不同刻蚀方法 |
| 4.3 微波式湿度传感器的微纳加工 |
| 4.3.1 微型化集成无源微纳加工步骤 |
| 4.3.2 溅射刻蚀工艺提高集成无源电感的性能分析 |
| 4.3.3 退火工艺提高集成无源电容的性能分析 |
| 4.4 优化的加工技术制备微型化微波湿度传感器 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 湿度传感器面向体征监测的应用研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 电容式湿度传感器的湿敏特性分析及应用 |
| 5.2.1 电容式湿度传感器的湿度检测结果 |
| 5.2.2 电容式湿度传感器面向体征检测应用分析 |
| 5.3 微波式湿度传感器的湿敏特性分析及应用 |
| 5.3.1 微波湿度谐振器的电磁仿真设计与测试 |
| 5.3.2 微波湿度传感器面向呼吸检测应用验证 |
| 5.3.3 微波湿度传感器面向汗液检测应用验证 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士期间发表的论文及其它成果 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（3）镧掺杂锆钛酸铅体系介电材料的电光效应机制和储能性能调控（论文提纲范文）
| 作者简历 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电介质物理学基础 |
| 1.2.1 介质的电极化响应 |
| 1.2.2 自发极化、畴结构和缺陷 |
| 1.2.3 电介质材料的基本性质 |
| 1.2.4 电介质非线性光学理论 |
| 1.2.5 电介质储能机理研究 |
| 1.3 集成光学研究 |
| 1.3.1 光调制材料 |
| 1.3.2 铌酸锂 |
| 1.3.3 光开关 |
| 1.4 锆钛酸铅镧材料概述 |
| 1.4.1 PLZT结构 |
| 1.4.2 PLZT性质与应用 |
| 1.4.3 PLZT研究现状 |
| 1.5 当前集成光学存在的问题 |
| 1.6 本文的研究内容与创新点 |
| 第二章 主要材料及表征手段 |
| 2.1 主要试剂与仪器 |
| 2.1.1 主要试剂和耗材 |
| 2.1.2 实验仪器设备 |
| 2.2 材料主要表征方法 |
| 2.2.1 X-射线衍射分析 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 |
| 2.2.3 介电性能测试 |
| 2.2.4 铁电性能测试 |
| 2.2.5 紫外-可见光-近红外光谱测试 |
| 第三章 PLZT透明陶瓷的制备及其性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 PLZT陶瓷的制备与测试方法 |
| 3.2.1 PLZT透明陶瓷的制备 |
| 3.2.2 透明陶瓷的性能表征方法 |
| 3.3 PLZT陶瓷的性能研究 |
| 3.3.1 不同烧结方式下PLZT陶瓷的晶体结构 |
| 3.3.2 烧结方式对PLZT陶瓷晶粒形貌与密度的影响 |
| 3.3.3 烧结方式对PLZT陶瓷电学性能的影响 |
| 3.3.4 烧结方式对PLZT陶瓷透明度的影响 |
| 3.3.5 不同制粉方式所得粉体的晶体结构 |
| 3.3.6 制粉方式对PLZT陶瓷形貌和密度的影响 |
| 3.3.7 制粉方式对PLZT陶瓷电学性质的影响 |
| 3.3.8 制粉方式对PLZT陶瓷透光性的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 等离子退火制备PLZT薄膜及其光学性质研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 PLZT薄膜的制备与测试方法 |
| 4.2.1 PLZT薄膜的制备 |
| 4.2.2 PLZT光学薄膜性能表征方法 |
| 4.3 PLZT薄膜性能研究 |
| 4.3.1 退火方式对PLZT薄膜结构影响 |
| 4.3.2 退火方式对PLZT薄膜形貌的影响 |
| 4.3.3 退火方式对PLZT铁电性能的影响 |
| 4.3.4 退火方式对薄膜透光性的影响 |
| 4.3.5 不同镧含量的PLZT薄膜的结构 |
| 4.3.6 镧含量对PLZT薄膜铁电性能的影响 |
| 4.3.7 镧含量对PLZT薄膜的光学性质影响 |
| 4.3.8 PLZT光波导制备与插入损耗 |
| 4.3.9 透光性的影响机制 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 电光薄膜和光调制器的制备与性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 PLZT电光薄膜的制备与测试方法 |
| 5.2.1 PLZT电光薄膜的制备 |
| 5.2.2 电光薄膜表征方法 |
| 5.3 PLZT电光薄膜的性能研究 |
| 5.3.1 PLZT电光薄膜的制备 |
| 5.3.2 镧含量对PLZT电光薄膜结构的影响 |
| 5.3.3 镧含量对PLZT薄膜光学性质的影响 |
| 5.3.4 镧含量对PLZT电光薄膜电学性质的影响 |
| 5.3.5 二次电光系数测量系统改进 |
| 5.3.6 PLZT电光调制器的制备与性能研究 |
| 5.3.7 电光效应响应机制 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 PLZT/PVDF复合薄膜的制备与储能性能研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 PLZT/PVDF复合薄膜的制备与测试方法 |
| 6.2.1 PLZT/PVDF复合材料的制备 |
| 6.2.2 PLZT/PVDF复合材料的表征方法 |
| 6.3 PLZT/PVDF复合材料性能研究 |
| 6.3.1 表面改性机理与击穿场强模拟计算原理 |
| 6.3.2 填料体积分数对复合薄膜XRD的影响 |
| 6.3.3 填料体积分数对复合薄膜电学性质的影响 |
| 6.3.4 不同维度PLZT填料的制备 |
| 6.3.5 填料维度对复合薄膜电学性能的影响 |
| 6.3.6 PLZT纳米填料/聚合物的介电理论研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（4）一起800 kV耦合电容器介损测试的影响因素及对策分析（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 耦合电容器电气结构 |
| 2 介损的测试方法及意义 |
| 3 设备Garton效应的原理 |
| 4 800 kV耦合电容器测试实例分析 |
| 5 数据异常原因分析 |
| 6 运行维护建议 |
| 7 结语 |
（5）近线性聚合物基介电复合材料及薄膜研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 聚合物介电材料储能原理 |
| 1.3 全有机单层聚合物介电薄膜研究现状 |
| 1.3.1 纯有机单层聚合物介电薄膜 |
| 1.3.2 有机/有机复合单层聚合物介电薄膜 |
| 1.4 有机/无机单层聚合物介电薄膜研究现状 |
| 1.4.1 导电无机填料复合电介质 |
| 1.4.2 陶瓷无机填料复合电介质 |
| 1.5 多层聚合物介电薄膜研究现状 |
| 1.5.1 全有机多层聚合物介电薄膜 |
| 1.5.2 有机/无机多层聚合物介电薄膜 |
| 1.6 选题意义与主要研究工作 |
| 第二章 实验仪器与测试方法 |
| 2.1 实验试剂与仪器 |
| 2.1.1 实验试剂 |
| 2.1.2 实验仪器 |
| 2.2 聚合物薄膜的制备方法 |
| 2.2.1 常用聚合物薄膜制备方法简介 |
| 2.2.2 溶液流延法制备聚合物薄膜的工艺流程 |
| 2.3 聚合物薄膜的表征测试方法 |
| 2.3.1 聚合物薄膜微观形貌与结构表征 |
| 2.3.2 聚合物薄膜电学性能的测试 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 全有机近线性聚合物单层复合介质膜研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 单层PUA/P(VDF-CTFE)复合介质膜的储能特性研究 |
| 3.2.1 不同复合比例PUA/P(VDF-CTFE)单层体复合膜的制备 |
| 3.2.2 不同复合比例PUA/P(VDF-CTFE)单层体复合膜的表面形貌和微观结构分析 |
| 3.2.3 不同复合比例PUA/P(VDF-CTFE)单层体复合膜的介电与储能特性 |
| 3.2.4 理论分析 |
| 3.2.5 实验结论 |
| 3.3 单层P(VDF-TrFE-CFE)/PUA复合介质膜的储能特性研究 |
| 3.3.1 不同复合比例P(VDF-TrFE-CFE)/PUA单层体复合膜的制备 |
| 3.3.2 不同复合比例P(VDF-TrFE-CFE)/PUA单层体复合膜的表面形貌和微观结构 |
| 3.3.3 不同复合比例P(VDF-TrFE-CFE)/PUA单层体复合膜的介电与储能特性 |
| 3.3.4 理论分析 |
| 3.3.5 实验结论 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 全有机近线性聚合物双层复合介质膜研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 双层PUA/P(VDF-CTFE)复合介质膜的储能特性研究 |
| 4.2.1 不同厚度比例PUA/P(VDF-CTFE)双层复合膜的制备 |
| 4.2.2 不同厚度比例PUA/P(VDF-CTFE)双层复合膜的微观结构和截面 |
| 4.2.3 不同厚度比例PUA/P(VDF-CTFE)双层复合膜的介电储能特性与理论分析 |
| 4.2.4 实验结论 |
| 4.3 双层P(VDF-TrFE-CFE)/PUA复合介质膜的储能特性研究 |
| 4.3.1 不同厚度比例P(VDF-TrFE-CFE)/PUA双层复合膜的制备 |
| 4.3.2 不同厚度比例P(VDF-TrFE-CFE)/PUA双层复合膜的微观结构和截面 |
| 4.3.3 不同厚度比例P(VDF-TrFE-CFE)/PUA双层复合膜的介电储能特性与理论分析 |
| 4.3.4 实验结论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 有机/无机近线性聚合物三层渐变复合介质膜研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 单层BT@PUA/P(VDF-CTFE)复合介质膜的储能特性研究 |
| 5.2.1 单层BT@PUA/P(VDF-CTFE)复合膜的制备 |
| 5.2.2 单层BT@PUA/P(VDF-CTFE)复合膜的表面形貌和微观结构 |
| 5.2.3 单层BT@PUA/P(VDF-CTFE)复合膜的介电储能特性与理论分析 |
| 5.2.4 实验结论 |
| 5.3 不同复合比例单层BT@PUA/P(VDF-HFP)介质膜的储能特性研究 |
| 5.3.1 不同复合比例单层BT@PUA/P(VDF-HFP)复合膜的制备 |
| 5.3.2 不同复合比例单层BT@PUA/P(VDF-HFP)复合膜的微观结构 |
| 5.3.3 不同复合比例单层BT@PUA/P(VDF-HFP)复合膜的介电储能特性 |
| 5.3.4 实验结论 |
| 5.4 渐变三层BT@PUA/P(VDF-HFP)复合介质膜的储能特性研究 |
| 5.4.1 渐变三层BT@PUA/P(VDF-HFP)复合膜的制备 |
| 5.4.2 渐变三层BT@PUA/P(VDF-HFP)复合膜的截面形貌和微观结构 |
| 5.4.3 渐变三层BT@PUA/P(VDF-HFP)复合膜的介电储能特性 |
| 5.4.4 实验结论 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 有机/无机近线性聚合物三层夹层复合膜研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 三层夹层结构PMMA/BT-PVDF复合膜的储能特性研究 |
| 6.2.1 三层夹层结构PMMA/BT-PVDF复合膜的制备 |
| 6.2.2 三层夹层结构PMMA/BT-PVDF复合膜的形貌和微观结构 |
| 6.2.3 三层夹层结构PMMA/BT-PVDF复合膜介电储能特性与理论分析 |
| 6.2.4 实验结论 |
| 6.3 单层P(VDF-HFP)/PMMA复合膜的储能特性研究 |
| 6.3.1 不同复合比例P(VDF-HFP)/PMMA单层体复合膜的制备 |
| 6.3.2 不同复合比例P(VDF-HFP)/PMMA单层体复合膜的表面形貌 |
| 6.3.3 不同复合比例P(VDF-HFP)/PMMA单层体复合膜的介电储能特性 |
| 6.3.4 实验结论 |
| 6.4 不同夹层厚度三层复合膜的储能特性研究 |
| 6.4.1 不同夹层厚度P(VDF-HFP)/PMMA三层复合膜的制备 |
| 6.4.2 不同夹层厚度P(VDF-HFP)/PMMA三层复合膜的截面形貌 |
| 6.4.3 不同夹层厚度P(VDF-HFP)/PMMA三层复合膜的介电储能特性与理论分析 |
| 6.4.4 实验结论 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 论文工作总结 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（6）高压电缆局部放电与介质损耗的检测诊断技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.2.1 高压电缆局部放电检测研究现状 |
| 1.2.2 高压电缆介质损耗监测研究现状 |
| 1.3 现有研究不足 |
| 1.4 本文主要研究内容 |
| 2 基于典型缺陷的高压电缆加压测试实验 |
| 2.1 高压电缆典型人工缺陷类型 |
| 2.2 高压电缆加压测试实验原理 |
| 2.2.1 高压电缆单源缺陷的局部放电实验原理 |
| 2.2.2 高压电缆多源缺陷的局部放电实验原理 |
| 2.2.3 高压电缆介质损耗检测实验原理 |
| 2.3 高压电缆典型缺陷加压测试方法及实验步骤 |
| 2.3.1 高压电缆典型缺陷加压测试方法 |
| 2.3.2 高压电缆典型缺陷加压测试实验步骤 |
| 2.4 高压电缆加压测试实验数据分析 |
| 2.4.1 高压电缆单源缺陷的局部放电数据分析 |
| 2.4.2 高压电缆多源缺陷的局部放电数据分析 |
| 2.4.3 高压电缆介质损耗检测的数据分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 基于多点同步的高压电缆介质损耗检测技术与误差分析 |
| 3.1 高压电缆介质损耗检测原理 |
| 3.1.1 高压电缆介质损耗绝对测量法 |
| 3.1.2 高压电缆介质损耗相对测量 |
| 3.2 高压电缆介质损耗检测误差分析 |
| 3.3 高压电缆介质损耗检测系统 |
| 3.3.1 高压电缆介质损耗检测新型系统原理 |
| 3.3.2 高压电缆介质损耗检测新型改进方法 |
| 3.4 算例分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 基于高可靠性同步触发采集和特征优化选择的高压电缆局放多源头识别 |
| 4.1 多源头局放来源与分类 |
| 4.2 基于高可靠性同步触发采集与多源信息融合的高压电缆局放多源识别 |
| 4.2.1 高压电缆高可靠性同步触发采集原理 |
| 4.2.2 高压电缆局放信号 |
| 4.2.3 基于多源信息融合的高压电缆局放多源头识别模型 |
| 4.2.4 基于同步触发采集的局放检测实验与算例分析 |
| 4.3 基于特征优化选择与聚类分割的高压电缆多源局放识别 |
| 4.3.1 高压电缆局放特征提取与优化选择 |
| 4.3.2 基于优选特征与K-Means聚类的高压电缆多源局放识别模型 |
| 4.3.3 算例分析 |
| 4.4 基于优选特征和卷积神经网络深度学习的高压电缆局放多源头识别 |
| 4.4.1 卷积神经网络原理 |
| 4.4.2 基于优选特征和卷积神经网络的高压电缆多源局放识别 |
| 4.5 算例分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 基于局放检测技术的高压电缆动态自适应状态诊断技术 |
| 5.1 基于局放检测技术的高压电缆状态诊断方法 |
| 5.2 高压电缆状态诊断的影响因素分析 |
| 5.2.1 考虑电缆自身信息 |
| 5.2.2 局放和干扰的识别 |
| 5.2.3 局放源头和类型 |
| 5.3 基于动态自适应技术的高压电缆状态诊断模型 |
| 5.4 算例分析 |
| 5.4.1 某供电公司高压电缆诊断案例 |
| 5.4.2 某EPR电缆诊断案例 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录A 攻读硕士学位期间所取得的学术成果 |
| 附录B 攻读硕士学位期间参加科研情况 |
（7）铌酸钠基无铅铁电陶瓷的制备、结构及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 引言 |
| 第2章 文献综述 |
| 2.1 铁电材料概述 |
| 2.1.1 电介质及极化基本概念 |
| 2.1.2 铁电性的发现及基本概念 |
| 2.1.3 铁电体的分类及主要特征 |
| 2.1.4 铁电陶瓷的应用分类 |
| 2.2 无铅钙钛矿铁电陶瓷材料的研究进展 |
| 2.2.1 无铅钙钛矿铁电陶瓷的主要分类及研究进展 |
| 2.3 电介质材料储能特性概述 |
| 2.3.1 电介质电容器用途及特点 |
| 2.3.2 电介质材料的储能特性测试原理及测试方法 |
| 2.3.3 电介质储能材料的分类 |
| 2.3.4 提高电介质储能特性的几种策略 |
| 2.4 电卡效应及其研究现状 |
| 2.4.1 制冷技术概述 |
| 2.4.2 基于电卡效应的制冷原理 |
| 2.4.3 电卡效应的热力学解释 |
| 2.4.4 电卡效应的测试方法 |
| 2.4.5 无铅铁电陶瓷电卡效应的研究现状 |
| 2.5 NaNbO_3基无铅陶瓷的研究现状 |
| 2.5.1 NaNbO_3基反铁电陶瓷 |
| 2.5.2 NaNbO_3基铁电陶瓷 |
| 2.6 本课题的提出及主要研究内容 |
| 2.6.1 本课题的研究目的和意义 |
| 2.6.2 本课题的主要研究内容 |
| 第3章 材料制备和性能测试 |
| 3.1 实验样品的制备 |
| 3.1.1 实验原料 |
| 3.1.2 陶瓷样品的制备流程与工艺参数 |
| 3.2 结构表征与电学性能测试 |
| 3.2.1 相结构及微结构表征 |
| 3.2.2 电学性能测试 |
| 第4章 NaNbO_3-Ba_(0.6)(Bi_(0.5)K_(0.5))_(0.4)TiO_3 体系相组成与电学性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验样品的制备 |
| 4.3 NN-x BBKT体系的相结构、介电及铁电性能演变规律 |
| 4.3.1 显微结构及相结构演变 |
| 4.3.2 介电及铁电性能演变 |
| 4.4 NN-x BBKT体系的退极化行为及热释电特性研究 |
| 4.4.1 温度诱导退极化行为研究 |
| 4.4.2 热释电特性研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 NN-x BBKT(x=0.18~0.24)组分的电卡效应及相关机理探索 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验样品的制备 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 不同组分的体积密度和比热容 |
| 5.3.2 平均对称性与局域对称性演变 |
| 5.3.3 弛豫铁电特性随外场的演变 |
| 5.3.4 不同组分的电卡效应及其温度稳定性 |
| 5.3.5 电卡效应随组分或温度变化的微观机理解释 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 NN-x BBKT(x=0.26~0.32)组分的储能及充放电特性研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验样品的制备 |
| 6.3 实验结果与讨论 |
| 6.3.1 相结构及微观结构特性 |
| 6.3.2 介电特性及弛豫特性演变 |
| 6.3.3 介电击穿特性及相关机理研究 |
| 6.3.4 高温电导机制探究 |
| 6.3.5 铁电及储能特性 |
| 6.3.6 32BBKT组分脉冲充放电特性及稳定性研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 Mn离子掺杂NN-26BBKT陶瓷储能特性及机理研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 实验样品的制备 |
| 7.3 实验结果与讨论 |
| 7.3.1 不同Mn离子含量对NN-26BBKT陶瓷的显微结构及相结构的影响 |
| 7.3.2 NN-26BBKT-x MnCO_3 陶瓷中Mn离子价态的确定 |
| 7.3.3 不同Mn离子含量对NN-26BBKT陶瓷的介电及电导特性的影响 |
| 7.3.4 NN-26BBKT-x MnCO_3 陶瓷的储能特性 |
| 7.3.5 NN-26BBKT-x MnCO_3 陶瓷的脉冲充放电特性 |
| 7.3.6 0.50Mn组分的脉冲充放电稳定性研究 |
| 7.4 本章小结 |
| 第8章 全文总结与展望 |
| 8.1 全文总结 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（8）电场与磁场混合耦合型无线电能传输技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 无线电能传输技术的起源和分类 |
| 1.3 电场耦合型无线电能传输技术研究进展 |
| 1.4 磁场耦合型无线电能传输技术研究进展 |
| 1.5 电场耦合与磁场耦合混合型无线电能传输技术研究进展 |
| 1.6 混合耦合无线电能传输存在的问题 |
| 1.7 本文的研究内容及组织结构 |
| 第2章 电场、磁场耦合机构的建模与优化设计 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 电场耦合机构的建模与优化设计 |
| 2.3 基于保角变换的电场耦合机构电场及电容计算 |
| 2.4 电场耦合机构的电压应力建模与优化设计 |
| 2.5 磁场耦合机构的建模与优化设计 |
| 2.5.1 磁场耦合机构的基本构成 |
| 2.5.2 线圈自感的计算 |
| 2.5.3 PCB平面磁场耦合机构 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 混合耦合系统兆赫兹变换器建模与优化设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 兆赫兹频率下功率器件建模及驱动电路优化设计 |
| 3.2.1 肖特基二极管兆赫兹等效模型 |
| 3.2.2 功率MOSFET兆赫兹等效模型 |
| 3.2.3 驱动电路 |
| 3.3 PCB寄生参数的控制 |
| 3.4 实验样机及实验结果 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 并联型电场与磁场混合耦合无线电能传输技术研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 并联型电场与磁场混合耦合机构设计 |
| 4.2.1 混合无线电能传输拓扑 |
| 4.2.2 面积比的确定 |
| 4.2.3 耦合电容的变化 |
| 4.3 电路拓扑及增益计算 |
| 4.3.1 电场耦合分支的建模 |
| 4.3.2 磁场耦合分支的增益 |
| 4.3.3 混合系统的增益特性 |
| 4.3.4 混合系统的功率分配 |
| 4.4 系统参数设计方法 |
| 4.5 实验样机及实验结果 |
| 4.6 本章小结 |
| 第5章 “接收控制”型电场与磁场混合耦合无线电能传输技术研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 “接收控制”型混合耦合机构的设计 |
| 5.3 系统特性分析及其参数设计方法 |
| 5.4 混合耦合机构的漏磁仿真 |
| 5.5 实验样机及实验结果 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 全文工作总结 |
| 6.2 论文的创新点 |
| 6.3 后续工作展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及攻读博士期间科研成果 |
| 作者简介 |
| 攻读博士期间所取得的科研成果 |
| 致谢 |
（9）铋基钙钛矿薄膜磁电耦合与储能调控及其机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 铁性材料及磁电效应概述 |
| 1.1.1 铁电材料 |
| 1.1.2 铁磁材料 |
| 1.1.3 多铁材料及磁电效应 |
| 1.2 磁电复合薄膜研究现状与现存问题 |
| 1.2.1 磁电复合薄膜分类及测量 |
| 1.2.2 磁电复合薄膜磁电耦合机制 |
| 1.2.3 磁电复合薄膜存在的问题 |
| 1.3 电介质储能研究现状与现存问题 |
| 1.3.1 电介质储能研究意义 |
| 1.3.2 电介质储能原理与测试方法 |
| 1.3.3 电介质击穿机理 |
| 1.3.4 介电储能材料类别及研究现状 |
| 1.4 本文研究内容及拟解决的问题 |
| 1.4.1 本文研究内容 |
| 1.4.2 本文创新点及拟解决问题 |
| 本章参考文献 |
| 第二章 实验技术与性能表征 |
| 2.1 实验材料及制备方法 |
| 2.1.1 实验方法 |
| 2.1.2 溶胶制备所需原材料及制备工艺 |
| 2.1.3 薄膜制备工艺 |
| 2.2 薄膜表征技术及相关设备原理 |
| 2.2.1 物相结构表征 |
| 2.2.2 微观结构表征 |
| 2.2.3 光学带隙表征 |
| 2.2.4 电学性能表征 |
| 2.2.5 磁性表征 |
| 2.2.6 磁电性能表征 |
| 2.3 本章小结 |
| 本章参考文献 |
| 第三章 铋基单层钙钛矿BiFeO_3/Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Ti O_3 复合薄膜磁电耦合效应 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 BiFeO_3/Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Ti O_3 复合薄膜的结构 |
| 3.2.1 BiFeO_3/Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Ti O_3 复合薄膜的相结构 |
| 3.2.2 BiFeO_3/Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Ti O_3 复合薄膜的微观结构 |
| 3.3 BiFeO_3/Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Ti O_3 复合薄膜的电学性质 |
| 3.3.1 BiFeO_3/Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Ti O_3 复合薄膜的铁电和漏电特性 |
| 3.3.2 BiFeO_3/Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Ti O_3 复合薄膜的介电特性 |
| 3.3.3 BiFeO_3/Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Ti O_3 复合薄膜的压电特性 |
| 3.4 BiFeO_3/Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Ti O_3 复合薄膜的磁性 |
| 3.5 BiFeO_3/Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Ti O_3 复合薄膜的磁电效应 |
| 3.6 本章小结 |
| 本章参考文献 |
| 第四章 引入铋基多层钙钛矿调控2-2型复合薄膜磁电耦合效应 |
| 4.1 铋基单层/多层钙钛矿BiFeO_3/Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 复合薄膜磁电效应 |
| 4.1.1 引言 |
| 4.1.2 BiFeO_3/Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 复合薄膜的结构 |
| 4.1.3 BiFeO_3/Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 复合薄膜的电学性质 |
| 4.1.4 BiFeO_3/Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 复合薄膜的磁性 |
| 4.1.5 BiFeO_3/Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 复合薄膜的磁电效应 |
| 4.1.6 结果与分析 |
| 4.2 铋基多层钙钛矿Bi_5Ti_3FeO_(15)/Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 复合薄膜磁电效应 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 Bi_5Ti_3FeO_(15)/Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 复合薄膜的结构 |
| 4.2.3 Bi_5Ti_3FeO_(15)/Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 复合薄膜的电学性质 |
| 4.2.4 Bi_5Ti_3FeO_(15)/Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 复合薄膜的磁性 |
| 4.2.5 Bi_5Ti_3FeO_(15)/Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 复合薄膜的磁电效应 |
| 4.2.6 结果与分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 本章参考文献 |
| 第五章 铋基多层钙钛矿BaBi_4Ti_4O_(15) 弛豫铁电薄膜储能调控 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 La~(3+)掺杂的BaBi_4Ti_4O_(15) 薄膜物相结构与漏电性能分析 |
| 5.2.1 BaLa_xBi_(4-x)Ti_4O_(15) 薄膜XRD分析 |
| 5.2.2 BaLa_xBi_(4-x)Ti_4O_(15) 薄膜拉曼及漏电流分析 |
| 5.3 La~(3+)掺杂调控BaBi_4Ti_4O_(15) 薄膜弛豫特性 |
| 5.4 La~(3+)掺杂层选位工程调控BaBi_4Ti_4O_(15) 薄膜储能特性 |
| 5.5 BaLa_(0.2)Bi_(3.8)Ti_4O_(15) 薄膜储能稳定性研究 |
| 5.6 本章小结 |
| 本章参考文献 |
| 第六章 铋基多层钙钛矿(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 薄膜储能调控 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 La-O轨道杂化调控(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 薄膜物相结构 |
| 6.2.1 (Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Bi_(4.5-x)La_xTi_4O_(15) 薄膜XRD分析 |
| 6.2.2 (Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Bi_(4.5-x)La_xTi_4O_(15) 薄膜拉曼分析 |
| 6.3 La-O轨道杂化调控(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 薄膜弛豫特性 |
| 6.4 La-O轨道杂化调控(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 薄膜电畴结构 |
| 6.5 La-O轨道杂化诱导(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 薄膜高储能特性 |
| 6.6 La-O轨道杂化诱导(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15) 薄膜高击穿强度 |
| 6.7 (Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)Bi_(3.2)La_(1.3)Ti_4O_(15) 薄膜储能稳定性分析 |
| 6.8 本章小结 |
| 本章参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 本文总结 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及授权专利 |
（10）腔体谐振式三维无线供电技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题研究背景与意义 |
| 1.1.1 课题研究背景 |
| 1.1.2 课题研究意义 |
| 1.1.3 课题来源 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 无线电能传输技术类型 |
| 1.2.2 国外研究历史与现状 |
| 1.2.3 国内研究历史与现状 |
| 1.3 本文研究目的及主要研究内容 |
| 1.3.1 研究目的 |
| 1.3.2 主要研究内容 |
| 2 准谐振腔相关理论分析 |
| 2.1 准谐振腔 |
| 2.2 单元辐射子电磁场分析 |
| 2.2.1 单元辐射子 |
| 2.2.2 坡印廷矢量 |
| 2.3 系统负载功率和传输效率分析 |
| 2.3.1 理想空载条件 |
| 2.3.2 非理想条件 |
| 2.3.3 准谐振腔损耗 |
| 2.3.4 接收线圈损耗和负载功率 |
| 2.3.5 负载功率最高点的传输效率 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 无线供电系统特性分析 |
| 3.1 电磁仿真模型 |
| 3.2 电磁场特性分析 |
| 3.2.1 电磁场分布 |
| 3.2.2 准谐振腔磁场特性 |
| 3.3 频率特性分析 |
| 3.3.1 准谐振腔谐振频率 |
| 3.3.2 电源频率对系统效率影响 |
| 3.4 系统传输特性分析 |
| 3.4.1 接收线圈到电极距离与系统传输效率的关系 |
| 3.4.2 垂直高度与系统传输效率的关系 |
| 3.4.3 自转角度与系统传输效率的关系 |
| 3.4.4 公转角度与系统传输效率的关系 |
| 3.5 接收侧负载特性分析 |
| 3.5.1 功率最高点 |
| 3.5.2 效率最高点 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 腔体谐振式无线供电系统研制 |
| 4.1 准谐振腔研制 |
| 4.2 接收线圈研制 |
| 4.3 整体系统设计 |
| 4.4 高频电源 |
| 4.5 电压电流无线测量模块 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 无线供电实验 |
| 5.1 智能手机无线供电实验 |
| 5.2 空间照明实验 |
| 5.3 手持式风扇无线供电实验 |
| 5.4 安全性分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 附录A 便携式接收线圈原理图与PCB结构图 |
| 附录B 高频电源主电路原理图与PCB结构图 |
| 附录C 高频电源驱动电路原理图与PCB结构图 |
| 附录D 高频电源死区时间电路原理图与PCB结构图 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
四、耦合电容器介质损耗测量结果的分析（论文参考文献）
- [1]多功能变温台用于介电性能测试的工程问题研究[D]. 赵华伟. 阜阳师范大学, 2021(12)
- [2]基于微纳加工的高灵敏度微波湿度传感器设计方法研究[D]. 于赫. 哈尔滨工业大学, 2021(02)
- [3]镧掺杂锆钛酸铅体系介电材料的电光效应机制和储能性能调控[D]. 黄灿. 中国地质大学, 2021(02)
- [4]一起800 kV耦合电容器介损测试的影响因素及对策分析[J]. 包艳艳,刘康,温定筠,陈博栋,江峰,高立超. 电工技术, 2021(06)
- [5]近线性聚合物基介电复合材料及薄膜研究[D]. 周榆久. 电子科技大学, 2020(03)
- [6]高压电缆局部放电与介质损耗的检测诊断技术研究[D]. 陈玉竹. 华中科技大学, 2020(01)
- [7]铌酸钠基无铅铁电陶瓷的制备、结构及性能研究[D]. 周明星. 中国科学院大学(中国科学院上海硅酸盐研究所), 2020
- [8]电场与磁场混合耦合型无线电能传输技术研究[D]. 陈旭. 吉林大学, 2020(08)
- [9]铋基钙钛矿薄膜磁电耦合与储能调控及其机理研究[D]. 唐哲红. 内蒙古大学, 2020
- [10]腔体谐振式三维无线供电技术研究[D]. 韩守鹏. 大连理工大学, 2021(01)